X射线对同步化的HeLaS3细胞CyclinB1蛋白表达和转录水平的影响

中、高剂量电离辐射对生长的真核细胞的一个普遍效应是导致分裂延迟 ,这早已被放射生物学界所公认。但有关低剂量电离辐射对细胞周期及其分子调控的影响报道甚少 ,我室以往实验资料已揭示低剂量辐射可促进细胞的ＤＮＡ合成与增殖 ,加速细胞周期的进程[1 ,2 ] 。为了进一步探讨低剂量电离辐射促进细胞周期进程的分子机理以及低、高剂量辐射作用机理的差异 ,我们运用ＴｄＲ双阻断法、ＲＮＡ分子杂交技术和免疫组织化学法观察并探讨Ｘ射线作用于同步化的ＨｅＬａＳ3 细胞后 ,其细胞周期相关基因ＣｙｃｌｉｎＢ1 蛋白表达和转录水平的变化。一、…     

全身X射线照射对小鼠胸腺细胞凋亡的影响——原位末端标记法检测DNA断裂

胸腺是T淋巴细胞发育、分化和成熟的场所。在T淋巴细胞的发育过程中,只有小部分胸腺细胞完成其发育过程,大部分胸腺细胞未发育成熟而在胸腺中死亡^[1],现已证实,未成熟的胸腺细胞主要通过细胞凋亡途径被清除^[2],胸腺细胞凋亡已成为机体免疫调节的主要途径之一。     

低剂量辐射诱导免疫适应性反应的实验研究

目的　研究低剂量辐射能否诱导免疫适应性应。方法　３ＨＴｄＲ 掺入法检测淋巴细胞增殖率;ＣＴＬＬ依赖株检测ＩＬ２ 活性;单克隆抗体免疫荧光标记,流式细胞术（ＦＣＭ） 检测淋巴细胞亚组及膜受体表达;ＰＩ标记,ＦＣＭ 检测细胞周期及细胞凋亡;双抗体夹心间接ＥＬＩＳＡ 法测定可溶性白介素２ 受体;Ｆｕｒａ２ 负载,双波长荧光测定法检测细胞内［Ｃａ２＋ ］ｉ;传代培养细胞测定细胞倍增时间。结果　低剂量辐射预照射可明显减轻其后大剂量照射对诸多淋巴细胞功能的抑制作用。结论　低剂量Ｘ 射线可诱导多参数免疫适应性反应。     

X射线照射对人外周血淋巴细胞mIL-2R表达的影响

目的 观察X射线照射对人外周血淋巴细胞mIL-2R表达的影响。方法 采用单克隆抗体间接免疫荧光标记FCM检测。结果 4Gy和6Gy单次照射组mIL-2R表达明显低于对照组(分别P<0.01).75mGy及100mGy单次照射组mIL2R表达明显高于对照组(分别P<0.01).预先给予75mGy照射, 继之又给予4Gy组mIL-2R表达明显高于单纯4Gy照射组。结论 ①4Gy以上X射线照射使mIL-2R的表达明显降低。②75mGy及100mGy小剂量照射后人外周血淋巴细胞mIL-2R表达显着增高。③75mGy预照射可诱导mIL-2R表达对其后4Gy照射的适应性反应。     

不同剂量X射线对同步化HeLaS3细胞周期的影响

目的　研究不同剂量Ｘ射线对同步化ＨｅＬａＳ３ 细胞周期的影响,为进一步探讨其分子调控机理和临床肿瘤放疗提供基础资料。方法　采用胸苷（ＴｄＲ） 双阻断法和流式细胞术（ＦＣＭ） 检测了ＨｅＬａＳ３ 细胞同步化后分别于其细胞周期各时相进行７５ ｍ Ｇｙ 和２－０ Ｇｙ Ｘ 射线照射以及于Ｇ２＋ Ｍ 期进行０－０２５～２－０ Ｇｙ 照射后其细胞周期进程的变化。结果　２－０ Ｇｙ 照射时细胞无论处于Ｇ０／Ｇ１ 、Ｓ期还是Ｇ２ ＋ Ｍ 期,从释放点后９～１５ 小时内均发生明显的Ｓ期延迟和Ｇ２ 阻滞,但其中以Ｇ２ 期照射者阻滞最显著;于Ｇ０／Ｇ１ 和Ｇ２ ＋ Ｍ 期进行７５ ｍ Ｇｙ 照射,分别在９ 和１２ ｈ 时发生一过性的明显的Ｇ２ 阻滞,至１１ 和１５ｈ 时完全从这一阻滞中脱离,甚至促进了其细胞周期的进程;而在Ｓ期进行７５ ｍ Ｇｙ 照射时,并没有发生这种阻滞,反而加速了其细胞周期由Ｇ２ ＋ Ｍ→Ｇ０／Ｇ１ 的移行,其中尤以９ｈ 时最为显著。剂量效应关系研究表明,于Ｇ２ ＋ Ｍ 期进行０－０２５ ～２－０ Ｇｙ 照射后,在释放点后１１ ｈ 时均发生Ｇ０／Ｇ１ 期细胞数减少,Ｇ２ 阻滞,且有剂量依赖性,而Ｓ期细胞数的变化在０－０２５ ～０－１ Ｇｙ 和０－５ ～２－０ Ｇｙ     

X射线全身照射后脾细胞内[Ca2+)]i对Con A反应性的变化

目的 研究电离辐射对ConA激活的脾细胞内游离钙离子[Ca²⁺]i)动员的影响, 以探讨电离辐射免疫抑制作用的发生机理。方法 采用Fura2/AM双波长荧光测定法检测了X射线全身照射后的小鼠脾细胞内[Ca²⁺]i对ConA反应性的变化。结果 小鼠接受0、0.5、1、2、4和6Gy吸收剂量的X射线全身照射后24小时, 脾细胞内[Ca²⁺]i对ConA反应性呈剂量依赖性下降, 表现为[Ca²⁺]i上升幅度减小、上升至峰值时间延长。2GyX射线全身照射后的时程观察表明, 照后2小时细胞内[Ca²⁺]i对ConA反应性开始下降, 24小时达最低点, 照后5天才略有回升。结论 电离辐射所致免疫功能抑制与其抑制淋巴细胞内[Ca²⁺]i动员等信息传递过程有关。     

电离辐射对EL-4细胞凋亡与坏死的影响

目的 研究不同剂量电离辐射对EL－4细胞凋亡和细胞坏死的影响。方法 采用PI和Hoechst 33342双染、流式细胞术检测。结果 实验结果表明：给予50－200mGy低剂量照射后6h,EL－4细胞凋亡和坏死较对照组没有升高,而给予1．0－8．0Gy大剂量X射线照射后6h,细胞凋亡较对照组有明显升高,4．0Gy以上剂量,细胞坏死显著升高。结论 一定剂量的电离辐射不仅可以诱导凋亡的产生,而且可直接导致细胞坏死,即细胞的死亡模式与受照剂量有关。     

X射线诱导转录因子活化与凋亡的关系

目的 通过观察较高剂量照射的鼠胸腺细胞内几种转录因子活性的变化和胸腺细胞凋亡发展时程，探讨转录因子活性的变化在辐射诱导的免疫细胞凋亡中的作用。方法 通过电泳移动变化分析及流式细胞术的方法分别检测了2Gy X射线全身照射后胸腺细胞内转录因子NF－κB、CREB和OCT－1活性以及胸腺细胞凋亡的动态变化。结果 2Gy X射线全身照射后胸腺细胞内NF－κB两种二聚体p50/p50和p50/p65的DNA结合活性的变化存在着明显的区别，主要以p50/p50活性显著升高为特征，CREB OCT－1的活性也明显增强，活性高峰均出现了照射后4－12h，而它们的活性高峰又恰与2Gy照射诱导的胸腺细胞凋亡的高峰相吻合。结论 较高剂量电离辐射主要诱导NF－κB同源二聚体的DNA结合活性增强；3种转录因子NF－κB p50/50、CREB以及OCT－1可能在2Gy照射诱导的胸腺细胞内具有协同促进细胞凋亡的作用。